|
A series of articles on
“Nobel Prizes in Science & Technology” - Part 1
Giải Nobel Vật Lư
2014
Trần Trí Năng
(University of Minnesota & Ecosolar International)
Giải thưởng
Nobel chẳng những là vinh dư lớn cho cá nhân người lănh giải mà lại
c̣n niềm hănh diện cho cộng đồng và là công cụ tuyên truyền hữu hiệu
có lợi cho chính phủ, trường học, viện nghiên cứu
, hăng xưởng trong việc phát triển sản phẩm, tuyển dụng người
tài, củng cố thế lực và tăng lợi nhuận trên thương trường.
V́ thế, hoạt động “lobby” cũng càng ngày càng trở
nên khốc liệt hơn. “Lobby” người đề cử. “Lobby” hội viên chính
có quyền quyết định của Hàn Lâm Viện Hoàng Gia về Khoa Học của Thụy
Điễn hay Royal Swedish Academy of Sciences (xin gọi tắc là Hàn Lâm
Viện Thụy Điễn-HLVT). Chỗ nào “lobby” được là người ta “lobby”!
Và số tiền “đầu tư” vào công tác này không phải là
ít. Về lănh vực khoa học và kỹ thuật,
“những người được chọn nhận giải Nobel phần lớn đều có những đóng góp
quan trọng trong lănh vực chuyên môn của họ; nhưng không phải ai đóng
góp nhiều đều được có vinh dự này”. Cũng như những giải thưởng
khác, việc được chọn nhận giải Nobel tùy thuộc vào nhiều yếu tố chẳng
hạn như : công tŕnh & thành tích đóng góp, lănh vực đóng góp, thời
điểm được chọn, thành phần hội viên có quyền quyết định của Hàn Lâm
Viện Thụy Điển , người đứng ra đề cử, và yếu tố “may mắn” nữa. Nói
chung, việc được chọn lựa để lănh giải
thưởng Nobel là kết quả của sự phán đoán “chính xác” và điều may mắn
đúng thời cơ. Đôi khi phần “may mắn” đóng vai tṛ
c̣n then chốt hơn là phần ‘phán đoán chính xác”!
Tài liệu
liên quan đến quá tŕnh chọn giải Nobel sẽ được giữ kín 50 năm từ ngày
tuyển chọn người nhận giải và chỉ phát cho 3 người tối đa trong cùng
một lănh vực và những người này hiện vẫn c̣n sống. Trong suốt lịch sử
110 năm của giải Nobel, có những trường hợp người đáng nhận giải Nobel
lại không nhận được; điển h́nh là Mahatma Gandhi, được đề cử năm lần
và lần cuối cùng vài ngày trước khi ông bị ám sát ; hay trường hợp của
ông Mendeleev, người phát minh ra bảng Hóa Tri Tuần Hoàn . Mendeleev
không được chọn v́ một hội viên không chấp nhận bảng Hóa Trị Tuần Hoàn;
hay trường hợp giải Nobel Hóa Học năm 1944 trao cho ông Otto
Haln , người cộng tác với bà Lise Meitner
trong phát minh phân hạch nguyên tử (nuclear fission), trong khi đó
chính cá nhân bà lại bị từ chối v́ bà là người gốc Do Thái. Và gần đây
nhất là giải Nobel về y khoa năm 2008 về thuốc HPV; và sau này cộng
đồng khoa học mới biết được là hai người trong năm hội viên chính có
quyền quyết định trong HLVT là thành viên của Hội đồng quản trị của
hăng Astra- Zeneca, nơi chế tạo HPV. Theo truyền
thống, giải Nobel về khoa học và kỹ thuật dành cho những phát minh có
tầm đóng góp quan trọng lớn trong sự phát triển và thịnh vượng của xă
hội loại người. Trong chiều hướng này,
những người phát minh sẽ nhận giải và những người hoàn thiện phát minh
thành sản phẩm sẽ không được hân hạnh này. Thế nên, thường phải
đợi ít nhất vài chục năm sau khi phát minh ra đời để xem ảnh hưởng của
phát minh này như thế nào trước khi được chọn .
Tiêu chuẩn để chọn người lănh giải Nobel càng ngày càng mơ hồ , mâu
thuẫn với nhau và đôi khi trở nên “chọn lựa
tùy tiện” của các Hội Viên thuộc Hàn Lâm Viên Khoa học Thụy Điển. Họ
trích dẫn công trạng đóng góp trong 21 chữ hay ít hơn để phù họp với
việc chọn lựa này. Một khi người nhận giải thưởng được chọn rồi, th́
sự phản đối của cộng đồng khoa học và “người trong cuộc” trở thành vô
y nghĩa; và có vẻ “tranh dành , nhỏ mọn, khó coi”. Bài viết này mở
đầu cho một số “câu chuyện bên lề” về giải Nobel trong phạm
vi khoa học và kỹ thuật.
Trong số này, người viết xin mạn đàm về giải
thưởng vật lư về đèn LED năm 2014; một trong 3 người được chọn là GS.
Shuji Nakamura, người mà chúng tôi đă dự đoán sẽ nhận giải Nobel trong
một bài viết đăng trong ERCT khoảng một năm trước đó vào tháng 4, 2013
[1] .
1. Câu chuyện bên lề
Vào cuối
tháng 10 năm 2014 trong lúc thăm viếng và phụ trách “Khóa học chuyên
đề về công nghệ MEMS và màng mỏng” tại Đại học Khoa Học Tư Nhiên, Việt
Nam, người viết nghe một số đồng nghiệp bàn tán xôn xao về việc GS GS
Shuji Nakamura( Univ. California, Santa
Barbara) cùng hai đồng nghiệp được chọn nhận giải Nobel vật lư về đèn
LED. Về lại Mỹ được vài hôm một sinh viên trong
nhóm du học sinh điện thoại trước để thăm và sau cho chúng tôi biết
địa chỉ mới của em ấy. Em này học cấp đại học ở Univ. of
Minnesota và được nhận vào chương tŕnh PhD ở Univ. of Illinois at
Urbana- Champaign (gọi tắc là UIUC) , nơi
GS Nick Holonyak Jr., người phát minh ra đèn LED cho ánh sáng nh́n
thấy hiện đang làm việc. Em ấy cho biết ở UIUC ,
người ta cùng thảo luận sôi nổi về “lư do tại sao GS . Holonyak không
nhận được giải Noebl về LED mặc dù ông đă được nhiều người trong cộng
đồng khoa học đề cử vài lần?”. Tôi cũng
không biết trả lời sao cho hợp lư v́ theo
truyền thống giải Nobel về vật lư dành cho người phát minh chớ ít khi
cho người hoàn thiện thành sản phẩm đưa ra thị trường.
Lại càng ít hơn là trường hợp người đưa sản phẩm
được nhận giải mà người phát minh lại không.
Sự kiện này khiến tôi ṭ ṃ hơn và càng t́m ṭi
chúng tôi lại càng thấy tiêu chuẩn phát giải Nobel càng ngày càng “mơ
hồ” hơn. Và đây cũng là lư do chúng tôi muốn viết một số bài để
chia xẻ những điều ḿnh học hỏi được với quư bạn đọc về đề tài này.
2. Quá tŕnh chọn người lănh giải Nobel
về Vật Lư [2]
HLVT có
năm hội viên chính có quyền quyết định và một số hội viên phụ. Những
người sau đây có “đủ uy tín” để đề cử ứng viên: hội viên HLVT; hội
viên Hội Đồng giải Nobel về Vật Lư (Nobel Committee for Physics);
những người đă lănh giải Nobel về vật lư; giáo sư ở các đại học và
trung tâm nghiên cứu ở Thụy Điển, Đan Mạch, Phần Lan , Iceland, Norway
và Karolinska Institute ở Stockholm- Thụy Điển; đại diện của ít nhất 6
dại học chọn bởi HLVT; và những người HLVT mời đề cử. Lịch tŕnh chọn
lựa : gửi thư đề cử (từ tháng 9 – thàng 2 năm sau); tham khảo y kiến
chuyên gia (tháng ba- tháng năm); viết bản báo cáo (tháng 6- tháng 8);
hội đồng đề cử ứng viên (tháng 9) ; chọn người nhận giải (tháng 10) và
phát giải Nobel về Vật lư (tháng 12).
3.
Trích dẫn công trạng người nhận giải Nobel Vật lư 2014
GS. Isamu
Akasaki (Meijo Univ.), GS Hiroshi Amano (Nagoya Univ. ) và GS Shuji
Nakamura (Univ. California, Santa Barbara) được Hàn Lâm Viện Thụy Điển
chọn nhận giải Nobel vật lư năm 2014 về đèn LED với citation:
“for the invention of efficient blue light-emitting
diodes which has enabled bright and energy-saving white light
sources.”
Như vậy ba vị giáo sư này được giải Nobel v́ đă phát
minh đèn blue LED có hiệu xuất tốt và một nguồn ánh sáng trắng sáng
dựa trên đèn LED này và tiết kiệm được năng lượng. Chiều hướng chọn
lựa cũng đă khác với tiêu chuẩn chọn lựa truyền thống là giải thưởng
trao cho người hoàn thiện phát minh mà không cho người phát minh, ngay
cả không “đá động” ǵ đến công tŕnh đóng góp về LED của GS Holonyak
và những nhà nghiên cứu khác.
HLVT c̣n nói “ lịch sử của blue LED vừa mới tṛn 20 tuổi”; thực ra
“lịch sử có từ 1960” và bắt nguồn từ RCA- New Jersey (Mỹ) chớ không
phải từ Nhật.
.gif)
H́nh 1.
Ba nhà khoa học lănh giải Nobel vật lư năm 2014 về đèn
LEDs :
Isamu Akasaki (Meijo Univ.), Shuji Nakamura (UCSB) và Hiroshi Amano
(Nagoya Univ.)
4.
Lịch sử về Light Emitting Diode (LED)
4-1
LEDs là nguồn năng lượng ánh sáng tốt
So
với đèn nung sáng (incandescent light bulb) theo kiểu Thomas Edison,
đèn huỳnh quang thu gọn (compact fluorescent CFL) tiết kiệm nhiều cho
khách hàng và giảm thiểu được lượng carbon dioxide có thể gây ô nhiễm
môi trường. Theo nghiên cứu thị trường , đèn LEDs dần dần sẽ thay thế
đèn CFL dựa vào những lợi điểm sau : (i) tiết kiệm 50-70% năng lượng
và con số này có thể lên đến 90 % tùy theo ứng dụng và nếu dùng thêm
bộ phận điều chỉnh “smart”, (ii) xài lâu hơn (100.000 giờ so với
1.000-10.000 giờ của các loại bóng đèn khác) ; (iii) không gây ô nhiễm
thủy ngân; (iv) đa dạng về màu sắc, nhỏ hơn về h́nh dạng ; (v) không
sinh ra nhiều nhiệt ; (vi) triển vọng có hiệu suất phát sáng cao hơn;
và (vii) mang lại nhiều lợi ích xă hội . Với sự điều chỉnh về màu sắc,
cường độ và góc hướng ánh sáng, LEDs có thể điều hợp để thích ứng với
hoàn cảnh đèn đang dùng . Hiện tại kỹ nghệ
LEDs đối diện với những yếu điểm : (i) đèn
LEDs vẫn c̣n đắt hơn CFL nhưng giống như những linh kiện bán dẫn khác
trong quá khứ, giá thành sẽ rẻ hơn trong tương lai khoảng 15-20 % mỗi
năm do hiệu suất sản lượng cao (high yield) và lượng sản xuất lớn;
(ii) phí tổn ban đầu cao. Theo tài liệu của Bộ Năng Lượng Mỹ (US Dept.
of Energy), phí tổn ban đầu để sản xuất LEDs có cùng lượng ánh sáng
tốn khoảng 12 lần đắt hơn phí tổn sản xuất đèn incandescence 60 W và
ba lần nhiều hơn phí tổn sản xuất CFL; và (iii) yếu điểm chính của
LEDs manh nha từ lợi điểm dùng lâu dài của loại đèn này; có thể dẫn
đến lượng tiêu thụ ít hơn lượng các hăng sản xuất mong muốn. Một điểm
nữa đáng khích lệ và cũng quan trọng không kém là chính phủ của nhiều
nước, đặc biệt ở Á Châu đă có chính sách khuyến khích và tài trợ một
phần tiền tiêu thụ đèn LEDs , thí dụ như : chính phủ Nhật dự định thực
hiện tiêu chuẩn dùng LEDs 50% tổng số lượng đèn dùng trong việc thắp
sáng; trong khi đó chính phủ Nam Hàn và Trung Quốc có mục tiêu dùng
LEDs theo thứ tự 30 % và 20 % tổng số đèn thắp sáng vào năm 2015.
4-2
Thế nào là nguồn ánh sáng màu trắng
Nguồn ánh
sáng màu trắng (white light source) là phát minh mà HLVT đề cập đến
khi quyết định trao giải Nobel cho Akasaki, Nakamura và Amano thực sự
dựa vào đèn blue GaN LED hay ultraviolet GaN LED kết họp với lớp
phosphor, như có thể diễn tả ở H́nh 2. Đèn LEDs màu trắng có thể thực
hiện với ba phương pháp biểu hiện ((H́nh 2a): hoặc dùng LED’s với ba
màu đỏ (red) , xanh lá cây (green) và xanh blue (blue); hoặc
ultraviolet GaN LEDs với phosphors; hay blue GaN LEDs với green & red
phosphors Nh́n từ khía cạnh quang phổ, cả ba đều cho màu trắng (H́nh
2b). Trong ba phương pháp này, phương pháp thứ ba rẻ nhất và có một độ
sáng 105 lumens (lm)/W trong pḥng thí nghiệm vào năm 2005. Cũng xin
ghi nhận ở đây là vào năm 2007, nhóm nghiên cứu của GS Nakamura ở
University of California, Santa Barbara đă đạt được độ sáng 150 lm/W;
con số này chẳng những cao hơn đèn fluorescent mà c̣n vượt cả đèn
metal halide [3].
.gif)
H́nh 2a: Ba phương pháp tạo đèn
LEDs màu trắng [3]
.gif) .gif) .gif)
(a)
(b) (c)
H́nh 2b: Quang phổ màu trắng đạt
được từ ba phương pháp khác nhau ở h́nh 2a:
(a) LED’s với ba màu red , green
and blue;
(b) ultraviolet GaN LEDs với phosphors ;
và (c) blue GaN LEDs với green & red phosphors
4-3 Sự
phát triển của đèn LED trong ṿng 40 năm qua
Nakamura tŕnh bày sự phát triển
của LED trong ṿng 40 năm qua [H́nh 3], chú trọng đến các hoạt động
sau năm 1980 với các màu đỏ, da cam, xanh lá cây và xanh blue. Công
tŕnh ban đầu về đèn LED màu đỏ của Holonyak vào năm 1962 và blue GaN
LED của Maruska vào năm 1972 không thấy đề cập đến có lẽ v́ hiệu suất
của các đèn này thấp.
.gif)
H́nh 3:
Tiến bộ của GaN LED và những đèn LEDs khác trong ṿng 40
năm qua.
Vào năm 2007, nhóm nghiên cứu
của GS Nakamura ở UCSB đă đạt được độ sáng 150 lm/W trong pḥng thí
nghiệm (Nakamura, [4,5])
Có hai câu hỏi xin
được đặt ra ở đây là
(i)
nếu nói một cách tổng quát th́ “ai thực
sự phát minh LED?”
Có phải
Henry Round hay Guglielmo Marconi khám phá những đóm sáng từ chất
silicon carbide vào khoảng 1907 hay nhà khoa học Nga Oleg Losev về lư
luận SiC có thể phát quang vào năm 1920?. Hay James R. Biard và Gary
Pittman, trong lúc làm việc ở TI (Texas Instruments) vào năm 1962, xin
bằng sáng chế về việc thiết kế GaAs diode có thể phát ra tia hồng
ngoại (infrared light)?. Phát minh về
tia hồng ngoại có giá trị lớn về phương
diện kỹ thuật v́ nguồn sáng này có thể dùng trong fiber-optic cables
sau này. Hay phát minh về đèn LED có thể phát ra
tia sáng mắt thường nh́n thấy được (màu đỏ) của Nick Holonyak
Jr. lúc ông này làm việc ở General Electric vào năm 1962?
(ii) c̣n
nếu nói một cách hạn hẹp hơn liên quan đến “citation” của HLVT th́ “ai
thự sự phát minh đèn blue GaN LED?”Có phải Herb Maruska và nhóm
nghiên cứu ở RCA vào năm 1972 hay Nakamura, Akasaki và Amano vào năm
1992?
Muốn rơ hơn
về nguyên lư hoạt động của LED, xin quư độc giả tham khảo bài viết
của cùng tác giả trong ERCT :
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/LEDS-PART-2.htm
4-4 Nick
Holonyak Jr.
GS Nick Holonyak Jr. [H́nh 4] của University of
Illinois at Urbana -Champaign (UIUC) phát minh đèn LED với ánh sáng
nh́n thấy (màu đỏ) lần đầu tiên vào năm 1962 khi ông làm việc ở
General Electric, Syracuse, New York. Kỹ thuật về LEDs tiếp tục cải
tiến và nhiều năm sau GE chế tạo đèn LED có công xuất 100 W – tương
đương với đèn incandescent light bulb- và tiêu thụ khoảng 2/3 năng
lượng ít hơn. Sau đó, Holonyak rời GE về dạy
UIUC (trường ông nhận PhD và GS hướng dẫn là John Bardeen- người lănh
giải Nobel hai lần về Vật lư [6]) và tiếp tục nghiên cứu về đèn LEDs.
Có nhiều người cùng nghiên cứu chung với ông ở UIUC, đáng kể nhất là
George Cradford, mở đầu cho một số sản phẩm LEDs màu cam, đỏ và xanh
với độ sáng cao (chỉ thiếu màu xanh blue thôi!). Sau khi rời UIUC,
Cradford tiếp tục nghiên cứu ở Monsanto và chế tạo sản phẩm LED đầu
tiên trên thị trường. Một thời gian sau, Cradford đổi sang làm việc ở
Hewlett- Packard (HP). Vào năm 1987, AlGaAs LEDs sản xuất bởi HP đủ
sáng để thay thế bóng đèn dùng trong thắng xe hơi và những áp dụng
khác như đồng
hồ, tín hiệu giao thông và hiển thị điện tử (electronic displays).
Đèn LEDs dựa trên AlInGaP chế tạo vào năm 1990 cung cấp độ sáng gấp
đôi AlGaAs. HP cũng đă thành công với GaP, đầu tiên là bright green
LEDs vào năm 1993, và một năm sau đó với reddish – orange AlInGaP LEDs
.Với thành côn gđi
từ phát minh đến sản phẩm này,
Nick Holonyak, Jr. được cộng đồng khoa học công
nhận là người cha đẻ của đèn LED. Nhiều
năm, giới khoa học đă đề cử Holonyak cho giải Nobel vật lư về LEDs.
.jpg)
H́nh 4 :
(a): Nick Holonyak Jr ở UIUC (tài liệu từ Tom Roberts/The
News-Gazette/AP)
và (b) Lúc c̣n làm việc ở GE vào
năm 1962 :
Nick Holonyak (with glasses in the
front) and his GE technical support team.
In back from left to right: B. Hess (technician); S. Bevacqua (lab
technician);
F. Carranti (technician); C. Bielan (chemist); S. Lubowski (electronic
technician).
4-5
Maruska và GaN blue LED
Người đầu tiên chế tạo thành công đèn LED màu xanh
blue dựa trên GaN (hay blue GaN LED) là TS. Herb Maruska vào năm 1972
[H́nh 5] lúc ông c̣n là một nhà nghiên cứu trẻ làm việc ở David
Sarnoff Research Center thuộc hăng RCA ở New Jersey. Đơn kết tinh GaN
được chế tạo, dùng phương pháp Halide Vapor Phase Epitaxy với hydrogen
chloride phản ứng với kim loại ở nhiệt độ cao tạo ra khí metal
chloride; rồi chất khí này phản ứng với khí ammonia tạo thành một lớp
màng mỏng trên tấm nền. Hiệu xuất của đèn GaN LED màu xanh blue lúc đó
rất thấp v́ nhiều độ khiếm khuyết (defects)..
Tháng 11 năm 1969, Maruska cùng James Tietjen (giám
đốc của pḥng nghiên cứu) viết một bài báo cáo về việc chế tạo thành
công GaN đơn kết tinh.Bài viết này đă gây dư luận bàn cải trong cộng
đồng khoa học lúc bấy giờ và những hăng như Bell Labs và Philips bắt
đầu nghiên cứu về vật liệu bán dẫn này. Một số nhà nghiên cứu (nổi
tiếng sau này) như GS Jacques Pankove và TS Edward Miller cũng được
tuyển chọn vào làm việc ở RCA. Vần đề cả nhóm gặp phải khó khăn là
nhóm chỉ có thể chế tạo GaN thuộc dạng n-type mà không thể chế tạo
p-type v́ chưa t́m được chất dopant thích họp. T́nh trạng này kéo dài
đến năm 1971 và cả nhóm quyết định bài bỏ công tác truy cầu chế tạo
đèn blue GaN LED bằng cấu trúc. p-n mà chỉ dùng cấu trúc metal-
semiconductor (MIS). Câu trúc này gồm có N-type GaN nằm ở giữa (h́nh
bánh sandwich) hai lớp : GaN dped với Zinc ở phía trên và một lớp
indium nằm phía dưới. Maruska đi học PhD ở Stanford nhưng vẫn tiếp tục
làm việc ở RCA và vẫn tiếp tục nghiên cứu về blue GaN LED. Vào năm
1972, Herb Maruska và Walley Rhines, một sinh viên PhD khác ở
Stanford, có thể chế tạo blue-violet LED từ magnesium-doped GaN
(p-type) . Vào ngày 7 tháng 7 năm 1972, Stanford University gửi xin
bằng sáng chế về phương pháp chế tạo p-type GaN với Maruska và Rhines
là người phát minh và bằng sáng chế này chính thức ra đời vào ngày 25
tháng 6 năm 1974 [7-8] .
Tin này rất phấn khởi cho nhóm LED ở RCA. Nhưng
rồi, “người muốn mà trời không muốn”, khủng hoảng nôi bộ xảy ra khi
Sarnoff chết và con ông Robert lên cầm đầu. Ông Robert muốn RCA trở
thành hăng đầu táu trong lănh vực computers. Và nghiên cứu đèn LED
chính thức chấm dứt vào năm 1974. Và Maruska cũng bị sa thải. Sau này
Maruska có nói” tôi tin chắc là sẽ không mất bao lâu trước khi tôi có
thể mang công tác nghiên cứu và chế tạo đèn blue GaN LED trở lại đúng
hướng / I’m sure it wouldn’t have been long before i would have gotten
a bright blue LED right on the track” .
.jpg)
H́nh 5.
(a)
Herb Maruska Maruska as a young man, 1968.
và (b) Đèn blue GaN LED do Maruska chế tạo vào năm 1972.
Năm 1972, ngay lúc chương tŕnh nghiên cứu
về đèn blue LED sắp đi vào thời kỳ chấm dứt th́ Isamu Akasaki (lúc đó
làm việc ở Nagoya University) biêt được nghiên cứu về GaN (gallium
nitride” từ Jacques Pankove (RCA) và có đi thăm RCA ở Princeton – New
Jersey_ để t́m hiểu về nghiên cứu của nhóm về GaN. Akasaki và sinh
viên của ông Amano tiếp tục công tác nghiên cứu về blue GaN LED mà RCA
bỏ lại , và sau cùng tạo ra đèn blue GaN LED vào năm 1989. Maruska
thuật lại : “ một hôm tôi đang ở trong pḥng khách sạn vào năm 1990,
và nghe có tiểng gơ cửa. Mở cửa ra, tôi thấy Akasaki đứng bên ngoài.
Ông ta rọi đèn blue LED vào mắt tôi và nói “ông xem thử cái này nè” Và
tôi la lên với phấn khởi “ Đây chính là blue LED!”. Akasaki đáp lại ”
đúng vậy!” rối biến mất về phía hành lang.
4-6
Nakamura, Akasaki , Amano và blue GaN LED
Giờ
đổi câu chuyện sang bên kia bờ Thái B́nh Dương:
Song song với nghiên cứu blue GaN LED mà nhóm Isamu Amasaki bắt đầu
vào năm 1972; vào năm 1988, Shuji Nakamura của một hăng nhỏ tên là
Nichia cũng bắt đầu nghiên cứu
một cách độc lập về blue GaN
LED. Nhóm Akasaki lúc đầu chế tạo GaN dùng
phương pháp Chùm Phân Tử Epitaxy (Molecular Beam Epitaxy hay MBE)
nhưng sau này đổi sang dùng phương pháp Ngưng Đọng Hơi Hóa Hoc
Metalo-Organo (Metalo- organic chemical vapor deposition hay MOCVD).
Hai đóng góp chính của Amasaki và Amano là chế tạo (i) p-type GaN và
(ii) chế tạo lớp đệm (buffer layer). Blue GaN LED với P-N cấu trúc của
nhóm Akasaki hiệu xuất c̣n thấp v́ độ khiếm khuyết c̣n cao. Và chính
Nakamura và nhóm ông ở Nichia đă cải thiện phương pháp chế tạo và đưa
sản phẩm hàng loạt ra thị trường bắt đầu từ năm 1993 và cũng đưa ra
nguồn ánh sáng trắng đầu tiên
[4,5].
Phương pháp của nhóm
Amasaki cũng gặp phải it nhất hai vấn đề cần phải giải quyết để có thể
thành công trong việc chế tạo GaN LEDs: (i) phương pháp chế tạo p-type
GaN không thích họp với quá tŕnh chế tạo sản phẩm (ii)
nhiệt đổi lưu (thermal convection) ở nhiệt độ sinh trưởng màng mỏng
cao (khoảng 1.000C) v́ dùng phương pháp MOCVD.
Chi tiết là như thế này:
Đầu năm 1990, một sinh viên
trong pḥng nghiên cứu của GS Isamu Akasaki (lúc
đó ông là GS ở Nagoya University) đă t́nh cờ
khám phá ra việc tạo ra p-type GaN với chất lượng tốt dùng phương pháp
chiếu xạ Mg-doped GaN với tia điện tử (electron beam irradiation) từ
kính hiển vi điện tử [9] (cùng một chất
dopant cho p-type GaN mà Maruska & Rheines đă khám phá ra vào năm
1972). Tuy nhiên phương pháp chế tạo này không
thích hợp trong việc sản xuất hàng loạt và cơ cấu vật lư chưa được
hiểu rơ. Sau đó, GS Nakamura đă giải quyết vấn đề của p-type GaN một
cách thỏa đáng hơn: ông nhận thấy những nhà nghiên cứu ở nhiều nơi
trong quá khứ nung (annealed) GaN trong khí ammonia (NH3 ); làm cho
ammonia bị phân ly ở nhiệt độ trên 500 C, phóng thích hydrogen – chất
sau này (hydrogen) thụ động hóa (passivates) các acceptors. Thế nên,
giải pháp của nhóm ông Nakamura là annealing Mg doped GaN trong một
môi trường khí nitơ sạch ở 400 C hay cao hơn và thành công trong việc
chế tạo p-type GaN với chất lượng tốt – một phần do sự thụ động hóa
bằng hydrogen (hydrogen passivation) [10-11]. Kết quả nghiên cứu này
đưa đến sự thành công trong việc thương mại hóa blue GaN LED’s [12]
với độ sáng rất cao. Để giải quyết vấn đề nhiệt đổi lưu ở 1.000 C, ông
khai thác hệ thống MOCVD với hai ḍng khí (two flow MOCVD) (H́nh 6).
Trong hệ thống này, nguồn chất khí phụ (auxiliary stream of gases )
như N2 + H2 thổi thẳng góc với vật nền đẩy các chất khí phản ứng
(reactant gases) trong nguồn khí chính (primary stream of gases) TMG +
NH3 + H2 về phía vật nền và kết quả là màng mỏng GaN với chất lượng
tốt được tạo thành. Thêm vào đó, ông dùng kỹ thuật “lateral
overgrowth” nhằm tạo một lớp silicon dioxide để giảm mật độ khiếm
khuyết trong InGaN
4-7
Nhóm Nakamura và LED với ánh sáng trắng (white LED)
Vào cuối thập niên 80’s, Nichia là một hăng nhỏ, nhưng
có “một môi trường sinh động cho sự phát minh/ hotbed innovation” và
cuối cùng đưa đến sự thành công sản phẩm white LEDs. Vài thí dụ như:
(i) .Yoshinori Shimizu đă khám phá YAG phosphors có thể chịu đựng lâu
dài trong môi trường LED (nên nhớ Nichia là một hăng sản xuất phosphor
chiếm gần nửa sản lượng lớn trên thế giớ!); (ii) .Yasunobu Noguchi
khai thác thành công YAG phosphor có thể biến đổi hữu hiệu ánh sáng
xanh blue thành ánh sáng màu vàng ; (iii) Kensho Sakano kết hơp
phosphor của Noguchi với blue GaN LED tạo thành LED với ánh sáng màu
trắng và (iv) vào cuối tháng 9 năm 1991, Naruhito Iwasa khám phá một
phương pháp thêm Zn + Si vào Mg-doped p- type GaN khi chất này được
nung nóng trên 600 C; kết quả là vào năm 1993, Nichi bắt đầu tung ra
thị trường blue GaN LEDs khoảng 100 lần sáng hơn SiC LEDs của Creek.

H́nh
6 : A two-flow MOCVD system [13]
5.
Thay lời kết
Khi kể công trạng của Nakamura,
Amasaki và Amano để trao giải Nobel, HLVT đă thu hẹp lại trong lănh
vực ứng dụng của đèn blue GaN LED như nguồn năng lượng trắng, người
viết cảm thấy HLVT đă quyết định thiếu chính xác và đă “điều chỉnh
citation” cho phù hợp với quyết định của họ, nhất là khi không đề cập
ǵ đến Holonyak và Maruska.. Dĩ nhiên quyết định
nào cũng không thể hoàn hảo được, nhưng người viết cảm thấy trong
trường hợp này quyết định của HLVT có thể bị ảnh hưởng nhiều bởi nhiều
áp lực bên ngoài. Holonyak, Nakamura, Akasaki th́ được cộng
đồng khoa học trong và ngoài nước biết với nhiều giải thưởng lớn trước
đó “lót đường” cho việc lănh giải Nobel; trong khi đó những người như
Maruska th́ khác. Maruska th́ bị yếu thế hơn nhiều v́ ông không phải
là “big name” và đă rời nghiên cứu LED từ năm 1974 sau khi RCA sa thải
ông, nên ít người biết đến và những người biết đến lại không đủ “uy
tín” để được mời đề cử. Dựa theo lịch tŕnh phát triển của đèn LED,
Nick Holonyal là người phát minh ra đèn LED cho ánh sáng thấy được (màu
đỏ) vào năm 1962 mở đầu cho những sản phẩm dùng trong kỹ nghệ sau này;
Herb Maruska phát minh blue GaN LED và cùng với Rhines đưa ra phương
pháp chế tạo p-type GaN bằng cách dùng chất magnesium như dopant vào
năm 1972 mà Akasaki và Nakamura dùng sau này; Shuji Nakamura đă thành
công trong việc hoàn thiện phương pháp chế tạo dưa ra hàng loạt sản
phẩm đèn LEDs kể cả LED với ánh sáng trắng ra thị trường. Akasaki và
Amano tiếp tục chương tŕnh nghiên cứu LED mà nhóm Maruska bỏ lại và
cải thiện phương pháp chế tạo với một lớp đệm, p-type GaN và phương
pháp chế tạo màng mỏng MOCVD. Nếu theo tiêu chuẩn truyền thống th́
người nhận giải thưởng sẽ là Nick Holonyak Jr. nếu nói về LED (một
cách bao quát hơn) hay Herb Maruska nếu nói về blue GaN LED (một cách
hạn hẹp hơn); hoặc Shuji Nakamura cùng với hoặc Holonyak hay Maruska
hay cùng cả hai nếu kể người phát minh và người có công trong việc
hoàn thiện phương pháp chế tạo LED để trở thành sản phẩm.
Người viết nhận thấy chọn lựa thứ ba là hợp lư
nhất.
Trường hợp của LED không phải là trường hợp duy
nhất ; nhiều trường họp tương tự cũng xảy ra trước đó và đôi
khi người viết tự hỏi HLVT có tiêu chuẩn rơ rệt trong việc chọn lựa
người lănh giải Nobel trong lănh vục khoa học và kỹ thuật không hay
chỉ quyết định chọn lựa theo chiêu hướng chung của những người đề cử
và “áp lưc” từ những thế lực bên ngoài?
Đây là câu chuyện “cuối tuần”
hôm nay!
4. Tài liệu tham khảo
[1]
http
://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Hienthuong-Nakamura.htm
[2]
http://www.nobelprize.org/nomination/physics/
[3] Tài liệu từ UCSB
và http://www.lempteck.co.uk/
[4] S. Nakamura. Bài nói chuyện với high school students ,
California, 2007
[5] S. Nakamura, Science, 281, 956-961,
1998
[6]
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Silicon-Valley-1-Bell-Labs.htm
[7]
http://spectrum.ieee.org/tech-talk/geek-life/history/rcas-forgotten-work-on-the-blue-led
[8]
http://semiengineering.com/who-really-invented-the-blue-led/
[9]
Business Week, August, 25, 1997.
[10] Nakamura, Science, 281, (1998), 956; IEEE, Circuits and Devices,
May, 19 (1995).
[11] S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 58 (1999) 2021.
[12] S. Nakamura et. Al. Jpn. J.
Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
[13] S. Nakamura et al. “Novel
metaloorganic chemical vapor deposition system for GaN growth”,
Applied Phys. Lett. 58, 2021 (1999).
|